IKW50N60H3 یک IGBT قدرت HighSpeed 3 از شرکت Infineon Technologies است که با ولتاژ Collector-Emitter برابر ۶۰۰V و دیود آنتیپارالل داخلی طراحی شده است. این قطعه با تلفات سوئیچینگ پایین، سرعت خاموششدن مناسب و قابلیت کار در محدوده فرکانسی حدود ۲۰ تا ۱۰۰kHz برای مدارهای سوئیچینگ توان مناسب است.
